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HS-NIR-SiRod單晶硅芯長棒紅外探傷測試儀

產品介紹

HS-NIR-SiRod單晶硅芯長棒紅外探傷測試儀是專門用于硅芯硅棒生產中的硅棒硅芯內部的的裂縫、雜質、黑點、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器，可大幅提高硅芯生產過程中的效率和效益。

主要原理是：在特定光源和紅外探測器的協助下，我們的紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的硅棒，純硅料幾乎不吸收這個波段的波長，但是如果硅塊里面有微粒、夾雜（通常為SiC）、隱裂，則這些雜質將吸收紅外光，因此在成像系統中將呈現出來，而且這些圖像將通過我們的軟件自動生成三維模型圖像。

系統的基礎結構由相同的輥動單元構成。輥子裝置安全地固定鋼錠，并充當兩側軌道的基礎結構，單晶硅芯長棒沿滾動支撐結構鋪設。紅外測量單元在單晶長棒上方移動，同時旋轉單晶長棒。紅外測量是掃描式的，在固定電橋位置360度旋轉期間拍攝的圖像。測量單元移動到下一個測量位置，對于圓柱形物體，這種測量策略給出了最準確的結果。

通常我們都是在硅棒線切割硅芯前進行紅外探傷，在線切割前進行紅外探傷不僅可以減少不合格硅芯，而且可以減少斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統中。因此它是單晶硅芯生產中不可或缺的工具。

產品特點

■ 為硅芯勝場過程中的質量控制提供了強大的監測工具

■ 測量單元可以沿著在軌道上滾動單晶硅芯長棒上移動

■ 檢測速度快，平均每個長超3米以上的硅棒檢測時間為不超過6分鐘（不含裝卸時間）

■ NIRVision?軟件能夠分析探傷結果，并且直接將結果轉換成三維模型圖像

■ 獨特的加強型內插法為高分辨率的雜質探傷功能提供了強大的技術保障

■ 采用歐洲數控工程鋁合金材料

■ 表面都采用了高強度漆面和電氧化工藝保護

■ 系統外框采用高質量工業設計

■ 所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及最小維護量的要求

■ 能夠通過自動或手動旋轉對單晶長棒進行全面探傷。

■ 紅外光源通過交直流光源進行控制，光強可以通過軟件直接控制，同時它具有過熱保護功能

■ 同時軟件包含了雜質圖像的管理分析功能

■ 穩定性和耐用性俱佳。

■ 探傷測試面拋光處理效果最佳，推薦在線硅芯切割之前進行紅外探傷

■ 紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多

■ 一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上

■ 系統的基礎結構由相同的輥動單元構成。輥子裝置安全地固定鋼錠，并充當兩側軌道的基礎結構

■ 單晶硅芯長棒沿滾動支撐結構鋪設。

■ 紅外測量單元在單晶長棒上方移動，同時旋轉單晶長棒。

■ 紅外測量是掃描式的，在固定電橋位置360度旋轉期間拍攝的圖像。

■ 測量單元移動到下一個測量位置，對于圓柱形物體，這種測量策略給出了最準確的結果。

技術指標：

■ 主要探測指標：直徑200mm x 長度3500mm（可定制）隱裂，硬質點等

■ 硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm

■ 檢測時間：平均每個硅棒6分鐘（不含裝卸時間）

ü 一次掃描的表面為630mm（周長）x 200mm（攝像機視野）。

ü 全長350cm，可在17個位置捕獲（尾部，頭部消除）

ü 可在20秒內獲得一次360度旋轉捕獲。完整測量時間可保持在6分鐘左右，不包括加載和卸載過程。

■ 最大探測深度：200mm

■外框和箱體

■ 尺寸：450x83x55 (WxDxH-，依據定制進行尺寸調整)

■ 外框采用數控工程鋁合金

■ 外框是覆蓋靜電強力漆鋁面板

■ 主機重量：400 kg

■ 附件重量：25 kg

■ 旋轉

■ 采用單軸伺服電機

■ 最大承載量:350kg

■ 具有過流保護以防止損傷和電機燒毀

■ 無步進損失，高分辨率解碼機器

■ 紅外光源

■ 高強度NIR鹵燈，273mm加熱波長

■ 功率：230V,1000W

■ 溫度：25-60攝氏度,盒子通風，以保持里面的安全溫度。

■ 光強可通過軟件控制

■ 軟件具有過熱保護

■ 紅外燈單元具有高功率、長壽命的聚焦光源。

■ 在光窗處也使用了濾光片。

■ 觀測儀

■ 采用紅外CCD控溫

■ 12位ADC

■ 頻率：60Hz和100Hz兩個選擇

■ 像素間距: 30μm

■ 分辨率：: 320x256 像素

■ 可手動調節紅外鏡頭

典型用戶

江西塞維LDK、申和熱磁、中美晶、旭晶能源科技、達能科技等