合能陽(yáng)光少子壽命測(cè)試儀(HS-CLT)，是一款功能強(qiáng)大的少子壽命測(cè)試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。少子測(cè)試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測(cè)試過(guò)程全程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導(dǎo)體及太陽(yáng)能拉晶企業(yè)不可多得少子壽命測(cè)量?jī)x器。
少子壽命測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。
■ 主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過(guò)程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
■ 適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ＞0.1Ω?cm（可擴(kuò)展至0.01Ω?cm），完全解決了微波光電導(dǎo)無(wú)法檢測(cè)低阻單晶硅的問(wèn)題。
■ 全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過(guò)程，避免了微波光電導(dǎo)（u-PCD）無(wú)法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問(wèn)題。
■ 貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
■ 專業(yè)定制樣品架最大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測(cè)試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■ 性價(jià)比高，價(jià)格遠(yuǎn)低于國(guó)外國(guó)外少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測(cè)試成本。
少子壽命測(cè)試儀-推薦工作條件
■ 溫度：23±2℃
■ 濕度：60%~70%
■ 無(wú)強(qiáng)磁場(chǎng)、不與高頻設(shè)備鄰近
少子壽命測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo)
■ 測(cè)試材料：硅半導(dǎo)體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等，鍺半導(dǎo)體材料。
■ 少子壽命測(cè)試范圍 :1μs-6000μs
■ 可測(cè)低阻硅料下限： 0.1Ω.cm, 可擴(kuò)展到 0.01Ω.cm
■ 激光波長(zhǎng)： 1.07μm
■ 激光在單晶硅中的貫穿深度： 500μm
■ 工作頻率： 30MHz
■ 低輸出阻抗，輸出功率＞ 1W
■ 電源：～220V 50Hz 功耗＜50W
少子壽命測(cè)試儀-典型用戶
北京，浙江，四川，河北，河南等地的硅料生產(chǎn)企業(yè)及半導(dǎo)體光伏拉晶客戶
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